CMPCMP受託加工

CMP
CMP受託加工

CMP受託加工

CMPプロセス代表例
ダマシン
(埋め込み)CMP		 多結晶CMP 接合前CMP
TSV CMP 段差解消CMP ハイブリッド
ボンディング用CMP
膜厚調整 CMP 表面粗さ改善 CMP 難削材料CMP
  • ・接合前　CMP受託加工（常温接合・C2W・プラズマ活性化接合対応可能）
  • ・メタル電極露出(ゴールドラッシュプロセス)　/絶縁層 CMP受託加工
  • ・TSV Cu超高速　CMP受託加工
  • ・Siパワーデバイス　CMP受託加工
  • ・HDD　(トラックメディア、パターンドメディア） CMP受託加工
  • ・単結晶及び多結晶難削材料(SiC,GaN etc…) CMP受託加工
  • ・その他　CMP受託加工

CMPファンダリーのフロントランナー

全てはこの一滴から…
  • AU　表面粗さ　Ra＜0.2nm
  • CuRemoval Rate 10μm/min over
  • AU Removal Rate 1μm/min over
  • SiO2 表面粗さRa＜0.1nm
  • 多結晶材料　表面粗さRa＜0.3nm
  • 各種材料の加工選択比の調整
各種デバイスウェーハにスラリー組成をアジャスト！

砥粒・エッチャント・インヒビター・酸化剤・保存安定化剤・接触角調整剤・増粘剤・潤滑剤・段差解消性向上剤・pH緩衝材　etc.

CMP受託加工用slurry/horizonor
D-processではCMP受託加工のためにスラリーを自社調合しております。
あらゆるデバイスや材料に対してスラリーを最適化いたします。

高平坦性、高精度仕上げの実現

平坦化CMP段差解消

難削材料＆多結晶材料

超高速Cu CMPプロセス

ハイブリットボンディング用CMPプロセスfor Cu-Sio₂

ページトップへ戻る