D-process Market
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卓上式CMP装置
試作から少量量産まで対応可能な卓上型CMP装置を提供、
D-processが確立したCMPプロセスをお客様の元で再現可能です。

【装置仕様】
ラップ定盤/外径φ300×内径φ100mm
試料支持ユニット取付ボール/2個(各種試料支持ユニット取付け可能)
モーター/AC100V 単相 50/60Hz 120W 3.8A
ラップ定盤回転数/10rpm〜100rpm(スロースタート、ストップ付)
回転数表示/デジタル表示
タイマー/デジタル表示 最小設定時間秒
レンジ切り替え可能、
残余時間/経過時間表示選択可能
設定時間途中停止可能/リセットスイッチ付
補助電源/補助電源 タイマー連動AC100V2口
タイマー非連動(スイッチ付)AC100V2口
緊急停止ボタン付
廃液用ホース
電源/AC100V 単相 50/60Hz
装置寸法/400mm×580mm×620mm(防塵カバー付)
装置重量/30Kg(付属装置付 60kg)
各種 Wafer
D-process MarketではCMP Foundryで実績のある各種高品質Waferを提供しております
No. | 膜種 | 膜厚[nm] | 膜厚公差 | 標準納期 |
---|---|---|---|---|
1 | 熱酸化膜 | 100 | ±10% | 2.5週間 |
2 | LP-SiN | 250 | ±10% | 4週間 |
3 | P-SiN | 500 | ±10% | 4週間 |
4 | レジスト(i線ポジ) | 3000 | ±10% | 3週間 |
5 | P-TEOS | 600 | ±10% | 1.5ヶ月 |
6 | 熱酸化膜+Al-Cu | 熱酸化膜 500 / Al-Cu 1000 | ±10% | 1.5ヶ月 |
7 | 熱酸化膜+Al-Si-Cu | 熱酸化膜 500 / Al-Si-Cu 1000 | ±10% | 1.5ヶ月 |
8 | Pure-Al | 100 | ±10% | 1ヶ月 |
9 | 熱酸化膜+Ti+Cu | 熱酸化膜 100 / Ti 50 / Cu 1000 | ±10% | 1.5ヶ月 |
10 | 熱酸化膜+Poly-Si | 熱酸化膜 100 / Poly-Si 200 | ±10% | 2ヶ月 |
11 | 熱酸化膜+Ti+W | 熱酸化膜 100 / Ti 25 / W 65 | ±10% | 別途ご相談 |
12 | Cu 再メッキ | 〜20000 | ±10% | 2週間 |