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D-scanner

D-scannerはAFMの分解能+レーザー顕微鏡の
測定スピードを兼ね備えた全く新しい表面粗さ測定器です

□100μmエリアを僅か30secで測定!

測定頻度の高い工程内の粗さ測定はD-scanner、最終抜取り
検査はAFM、といった頻度や内容に応じた提案が可能

卓上式CMP装置

試作から少量量産まで対応可能な卓上型CMP装置を提供、
D-processが確立したCMPプロセスをお客様の元で再現可能です。

【装置仕様】
ラップ定盤/外径φ300×内径φ100mm
試料支持ユニット取付ボール/2個(各種試料支持ユニット取付け可能)
モーター/AC100V 単相 50/60Hz 120W 3.8A
ラップ定盤回転数/10rpm〜100rpm(スロースタート、ストップ付)
回転数表示/デジタル表示
タイマー/デジタル表示 最小設定時間秒
            レンジ切り替え可能、
            残余時間/経過時間表示選択可能
            設定時間途中停止可能/リセットスイッチ付
補助電源/補助電源 タイマー連動AC100V2口
          タイマー非連動(スイッチ付)AC100V2口
     緊急停止ボタン付
     廃液用ホース
電源/AC100V 単相 50/60Hz
装置寸法/400mm×580mm×620mm(防塵カバー付)
装置重量/30Kg(付属装置付 60kg)

各種 Wafer

D-process MarketではCMP Foundryで実績のある各種高品質Waferを提供しております
No. 膜種 膜厚[nm] 膜厚公差 標準納期
1 熱酸化膜 100 ±10% 2.5週間
2 LP-SiN 250 ±10% 4週間
3 P-SiN 500 ±10% 4週間
4 レジスト(i線ポジ) 3000 ±10% 3週間
5 P-TEOS 600 ±10% 1.5ヶ月
6 熱酸化膜+Al-Cu 熱酸化膜 500 / Al-Cu 1000 ±10% 1.5ヶ月
7 熱酸化膜+Al-Si-Cu 熱酸化膜 500 / Al-Si-Cu 1000 ±10% 1.5ヶ月
8 Pure-Al 100 ±10% 1ヶ月
9 熱酸化膜+Ti+Cu 熱酸化膜 100 / Ti 50 / Cu 1000 ±10% 1.5ヶ月
10 熱酸化膜+Poly-Si 熱酸化膜 100 / Poly-Si 200 ±10% 2ヶ月
11 熱酸化膜+Ti+W 熱酸化膜 100 / Ti 25 / W 65 ±10% 別途ご相談
12 Cu 再メッキ 〜20000 ±10% 2週間
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