OTHER
その他
Total Foundry System
その他プロセス受託加工
プロセス代表例
| バックグラインディング | ダイシング | 超精密洗浄 |
| ラッピング/ ダイアモンドポリッシング |
フォトリソグラフィ | スピンコーティング |
| エッジ処理 | ウェットエッチング | サークルカット＆ 異形カット |
バックグラインディング
- ・Si
- ・GaN
- ・SiC
- ・GaAs
- ・ガラス
- ・GaP
- ・サファイア
- ・InP
- ・セラミックス
- ・LiTaO₃
- etc.
- ・チップ〜12インチ
ラッピング/ダイアモンドポリッシング
単結晶材料(SiC、GaN、ダイアモンド)
多結晶材料(SiC、セラミックス、ダイアモンド)
化合物半導体(InP、GaAs)
etc.
〜12インチ
ラップ仕上がり表面粗さ：＜ Ra 0.5nm
ダイシング
超精密洗浄
3、4、6、8、12インチ
SC1、SC2、メタル系洗浄、
DHF、メガソニック洗浄、etc.
フォトリソグラフィ
| バンプ×高さ | バンプ径 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 〜10μm | 〜30μm | 〜50μm | 〜70μm | 〜90μm | 90μm〜 | ||
| バンプ 高さ |
〜10μm | △ | △ | ◯ | ◯ | ◯ | ◯ |
| 〜30μm | × | △ | △ | ◯ | ◯ | ◯ | |
| 〜50μm | × | × | △ | △ | ◯ | ◯ | |
| 〜70μm | × | × | × | × | △ | △ | |
仕様（バンプピッチやウェーハサイズなど）によっては難易度が異なる為、詳細はご相談ください。
備考
・上記表以外にもご要望のスペック可否については応相談
・フォトリソ加工は片面のみ対応可（一定の条件を満たす場合、両面処理可能）
・マスク作成可能（CAD図面作成から対応可能）
・弊社標準アライメントマーク提案可能
エッジ処理
ウェットエッチング
- 4、6、8、12インチ（角基板対応）
- ＜ 200℃
- 各種
強酸・強アルカリ対応
